BSM300D12P4G101 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 291A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30211.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM300D12P4G101 ROHM
Description: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 291A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 925W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції BSM300D12P4G101 за ціною від 73859.82 грн до 75089.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM300D12P4G101 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules BSM300D12P4G101 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
BSM300D12P4G101 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 925W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 291A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 145.6mA Supplier Device Package: Module |
товару немає в наявності |