BSM30GP60BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 600V 50A 180W
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 300 nA
Power - Max: 180 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM30GP60BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 600V 50A 180W, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Configuration: Full Bridge, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 300 nA, Power - Max: 180 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A.
Інші пропозиції BSM30GP60BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM30GP60BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BSM30GP60BOSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules LOW POWER ECONO
IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.