Продукція > EUPEC > BSM35GD120DN2

BSM35GD120DN2 EUPEC


BSM35GD120DN2_2006-01-31.pdf Виробник: EUPEC

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM35GD120DN2 EUPEC

Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 280 W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції BSM35GD120DN2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSM35GD120DN2 Виробник : EUPEC BSM35GD120DN2_2006-01-31.pdf 05+ TQFP-48
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSM35GD120DN2 Виробник : EUPEC BSM35GD120DN2_2006-01-31.pdf 35A/1200V/IGBT/6U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSM35GD120DN2 Виробник : EUPEC BSM35GD120DN2_2006-01-31.pdf A3-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSM35GD120DN2 Виробник : EUPEC BSM35GD120DN2_2006-01-31.pdf MODULE
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSM35GD120DN2 Виробник : module BSM35GD120DN2_2006-01-31.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSM35GD120DN2 Виробник : SIEMENS BSM35GD120DN2_2006-01-31.pdf
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSM35GD120DN2
Код товару: 171518
BSM35GD120DN2_2006-01-31.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
BSM35GD120DN2 BSM35GD120DN2 Виробник : Infineon Technologies 35gd120dn2.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280mW 17-Pin ECONO2-2
товар відсутній
BSM35GD120DN2 Виробник : Infineon Technologies BSM35GD120DN2_2006-01-31.pdf Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
товар відсутній
BSM35GD120DN2 Виробник : Infineon Technologies kuka-2007-520787.pdf IGBT Modules 1200V 35A 3-PHASE
товар відсутній