BSM400C12P3G202 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.57kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 54302.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM400C12P3G202 ROHM
Description: ROHM - BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.57kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSM400C12P3G202 за ціною від 71988.94 грн до 80169.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM400C12P3G202 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 400A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc) Power Dissipation (Max): 1570W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 106.8mA Supplier Device Package: Module Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 10 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BSM400C12P3G202 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|