BSM400D12P2G003 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BSM400D12P2G003 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 130574.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM400D12P2G003 ROHM
Description: ROHM - BSM400D12P2G003 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.45kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSM400D12P2G003 за ціною від 149569.26 грн до 149569.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM400D12P2G003 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 2450W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BSM400D12P2G003 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SIC Pwr Module Half Bridge |
товару немає в наявності |