BSM400D12P2G003 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 2450W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 151288.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM400D12P2G003 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSM400D12P2G003 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.45kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSM400D12P2G003 за ціною від 151811.90 грн до 151811.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM400D12P2G003 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSM400D12P2G003 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: -Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: -V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BSM400D12P2G003 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SIC Pwr Module Half Bridge |
товару немає в наявності |