Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BSM400D12P3G002
BSM400D12P3G002

BSM400D12P3G002 Rohm Semiconductor

datasheet?p=BSM400D12P3G002&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1570W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 109.2mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+82650.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM400D12P3G002 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSM400D12P3G002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.57kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSM400D12P3G002

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSM400D12P3G002 BSM400D12P3G002 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSM400D12P3G002&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Modules 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400D12P3G002 BSM400D12P3G002 ROHM bsm400d12p3g002-e.pdf Description: ROHM - BSM400D12P3G002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.57kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400D12P3G002 datasheet?p=BSM400D12P3G002&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSM400D12P3G002
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM400D12P3G002 bsm400d12p3g002-e.pdf
BSM400D12P3G002
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSM400D12P3G002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.57kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.