BSM450D12P4G102 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BSM450D12P4G102 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 447 A, 1.2 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.45kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 90368.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM450D12P4G102 ROHM
Description: ROHM - BSM450D12P4G102 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 447 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 447A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.45kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BSM450D12P4G102 за ціною від 92422.46 грн до 93961.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM450D12P4G102 | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFET Modules BSM450D12P4G102 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|