Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSM50GAL120DN2HOSA1

BSM50GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
MEDIUM POWER 34MM
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+7058.79 грн
100+6706.38 грн
500+6352.79 грн
1000+5786.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 25 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM50GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 78A 400W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 400 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.

Інші пропозиції BSM50GAL120DN2HOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSM50GAL120DN2HOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM50GAL120DN2HOSA1 - BSM50GAL120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GAL120DN2HOSA1
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM50GAL120DN2HOSA1 - BSM50GAL120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.