BSM50GAL120DN2HOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS


Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM50GAL120DN2HOSA1 - BSM50GAL120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+5183.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM50GAL120DN2HOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: IGBT MOD 1200V 78A 400W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 400 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.

Інші пропозиції BSM50GAL120DN2HOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSM50GAL120DN2HOSA1 Виробник : Infineon Technologies BSM50GAL120DN2HOSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GAL120DN2HOSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 78A 400W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.