BSM50GB120DLC
Код товару: 59524
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Напруга колектор-емітер Vces, В: 1200 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 115 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 460 Вт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM50GB120DLC
- IGBT MODULE, DUAL, 1200V
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:50A
- Max Voltage Vce Sat:2.6V
- Power Dissipation:460W
- Case Style:Half Bridge 1
- Termination Type:Screw
- Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Alternate Case Style:M34a
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Fall Time Tf:0.03es
- Power Dissipation Pd:460W
- Pulsed Current Icm:100A
- Rise Time:0.05es
Інші пропозиції BSM50GB120DLC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM50GB120DLC | Infineon Technologies |
  IGBT Modules 1200V 50A DUAL |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSM50GB120DLC |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200V 50A DUAL
IGBT Modules 1200V 50A DUAL
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)