BSM50GB120DLC
Код товару: 59524
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Vces: 1200 V
Ic 25: 115 A
Pd 25: 460 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM50GB120DLC
- IGBT MODULE, DUAL, 1200V
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:50A
- Max Voltage Vce Sat:2.6V
- Power Dissipation:460W
- Case Style:Half Bridge 1
- Termination Type:Screw
- Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Alternate Case Style:M34a
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Fall Time Tf:0.03es
- Power Dissipation Pd:460W
- Pulsed Current Icm:100A
- Rise Time:0.05es
Інші пропозиції BSM50GB120DLC за ціною від 6021.88 грн до 6743.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM50GB120DLC | Виробник : Infineon Technologies |
 IGBT Modules 1200V 50A DUAL |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|