BSM50GB120DN2
Код товару: 46886
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Vces: 1200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM50GB120DN2
- IGBT MODULE, DUAL, 1200V
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:50A
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Power Dissipation:400W
- Case Style:Half Bridge 1
- Termination Type:Screw
- SVHC:Cobalt dichloride
- Alternate Case Style:M34a
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Fall Time Tf:100ns
- Power Dissipation Pd:400W
- Pulsed Current Icm:100A
- Rise Time:100ns
Інші пропозиції BSM50GB120DN2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM50GB120DN2 | Виробник : module |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
BSM50GB120DN2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200V 50A DUAL |
товару немає в наявності |