BSM50GB60DLCHOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM50GB60DLCHOSA1 - BSM50GB60 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSI
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM50GB60DLCHOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: IGBT MODULE 600V 75A 280W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 280 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.2 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM50GB60DLCHOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM50GB60DLCHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 280000mW Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
BSM50GB60DLCHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 600V 75A 280W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.2 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |