Технічний опис BSM50GD120DN2
- IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:50A
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Power Dissipation:350W
- Case Style:Econopack 3
- Termination Type:Solder
- SVHC:Cobalt dichloride
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- No. of Transistors:6
- Power Dissipation Pd:350W
- Pulsed Current Icm:100A
- Typ Voltage Vce Sat:2.5V
Інші пропозиції BSM50GD120DN2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM 50GD120 DN2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 72A 350000mW 17-Pin ECONO2-2 |
товар відсутній |
||
| BSM50GD120DN2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE |
товар відсутній |
||
 |
BSM50GD120DN2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 50A Case: ECONOPACK 2K Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 350W Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |
З цим товаром купують
| BAV70 Код товару: 177782 |
|
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOT-23
Uзвор., V: 85 V
Iвипр., A: 0,2 A
Опис: 4 ns
Може замінити: Конструкція: два діода в одному корпусі, загальний катод, струм 0,2 А на діод.
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOT-23
Uзвор., V: 85 V
Iвипр., A: 0,2 A
Опис: 4 ns
Може замінити: Конструкція: два діода в одному корпусі, загальний катод, струм 0,2 А на діод.
у наявності: 626 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 1.5 грн |
| 10+ | 0.8 грн |
| 100+ | 0.6 грн |
| HCNW3120 # 000 Код товару: 47014 |
|
Виробник: Avago
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: 8-Pin Wide Body Package
Uc, V: 630 V
I o +/-, A: 2,5 A
V out, V: 15-30 V
T on/T off, ns: 500/500 ns
Примітка: 5 kV
Роб.темп.,°С: -40 ... + 100 ° C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: 8-Pin Wide Body Package
Uc, V: 630 V
I o +/-, A: 2,5 A
V out, V: 15-30 V
T on/T off, ns: 500/500 ns
Примітка: 5 kV
Роб.темп.,°С: -40 ... + 100 ° C
товар відсутній
| 470uF 450V EHP 35x50mm (EHP471M2WBA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 42179 |
|
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 450 V
Серія: EHP
Тип: з жорсткими виводами, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 35х50mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 450 V
Серія: EHP
Тип: з жорсткими виводами, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 35х50mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 196 грн |
| 22,0 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-22R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 39470 |
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 22,0 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 22,0 Ohm
Точність: ±1% F
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 6092 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.22 грн |
| 1000+ | 0.16 грн |
| BZX84-C16 Код товару: 25370 |
|
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 16 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 12.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 16 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 12.4mV/K
у наявності: 272 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2 грн |
| 10+ | 1.3 грн |
| 100+ | 1 грн |