Продукція > Транзистори > IGBT > BSM50GD120DN2

BSM50GD120DN2

Код товару: 31165
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+5650.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM50GD120DN2

  • IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3
  • Transistor Type:IGBT Module
  • Voltage Vces:1200V
  • Max Current Ic Continuous a:50A
  • Max Voltage Vce Sat:3V
  • Power Dissipation:350W
  • Case Style:Econopack 3
  • Termination Type:Solder
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:80`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • No. of Transistors:6
  • Power Dissipation Pd:350W
  • Pulsed Current Icm:100A
  • Typ Voltage Vce Sat:2.5V

Інші пропозиції BSM50GD120DN2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSM50GD120DN2 Infineon description Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GD120DN2 Infineon Technologies infineon_eupcs02651-1-1735650.pdf description IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GD120DN2 description
Виробник: Infineon
Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GD120DN2 description infineon_eupcs02651-1-1735650.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.