Технічний опис BSM50GD120DN2
- IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:50A
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Power Dissipation:350W
- Case Style:Econopack 3
- Termination Type:Solder
- SVHC:Cobalt dichloride
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- No. of Transistors:6
- Power Dissipation Pd:350W
- Pulsed Current Icm:100A
- Typ Voltage Vce Sat:2.5V
Інші пропозиції BSM50GD120DN2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM 50GD120 DN2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 72A 350000mW 17-Pin ECONO2-2 |
товару немає в наявності |
||
| BSM50GD120DN2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE |
товару немає в наявності |