на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30686.63 грн |
| 25+ | 29765.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 50A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: 3 Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM50GP120BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM50GP120BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 BSM50GP120BOSA1 |
товару немає в наявності |
||
 |
BSM50GP120BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 50A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: 3 Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| BSM50GP120BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |