BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 2450W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 182mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 135986.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 600A MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 2450W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000pF @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 182mA, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active.
Інші пропозиції BSM600D12P3G001 за ціною від 151367.27 грн до 151367.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM600D12P3G001 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules 576A 1200V HALF BRIDGE SIC |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|