BSM600D12P4G103 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.78kW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 567A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 291.2mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 82342.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM600D12P4G103 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSM600D12P4G103 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 567 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 567A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.78kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 11Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції BSM600D12P4G103 за ціною від 89036.53 грн до 95184.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM600D12P4G103 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
BSM600D12P4G103 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSM600D12P4G103 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 567 A, 1.2 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 567A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.78kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|