BSM75GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 170A 690W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 170A 690W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5365.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM75GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 170A 690W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 690 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM75GB120DLCHOSA1 за ціною від 6383.57 грн до 6383.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM75GB120DLCHOSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB120DLCHOSA1 - BSM75GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BSM75GB120DLCHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH |
товару немає в наявності |
||||||
| BSM75GB120DLCHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 170A 690W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 170 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 690 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |