Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSM75GB170DN2HOSA1

BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies

BSM75GB170DN2_Eupec.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
Power - Max: 625 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+7866.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V, Power - Max: 625 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BSM75GB170DN2HOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon BSM75GB170DN2_Eupec.pdf IGBT MOD 1700V 110A 625W Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies BSM75GB170DN2_Eupec.pdf Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB170DN2_Eupec.pdf
Виробник: Infineon
IGBT MOD 1700V 110A 625W Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB170DN2_Eupec.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.