BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 9862.00 грн |
| 25+ | 9665.31 грн |
| 100+ | 9270.70 грн |
| 500+ | 8559.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 625 W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM75GB170DN2HOSA1 за ціною від 6670.08 грн до 7934.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM75GB170DN2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1700V 110A 625WPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 625 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BSM75GB170DN2HOSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB170DN2HOSA1 - BSM75GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
BSM75GB170DN2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 110A 625000mW Tray |
товару немає в наявності |
|||||
| BSM75GB170DN2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 625 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |