Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSM75GB170DN2HOSA1
BSM75GB170DN2HOSA1

BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies

75gb170dn2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 110A 625W 7-Pin Tray
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+11383.16 грн
25+11156.12 грн
100+10700.66 грн
500+9879.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V, Power - Max: 625 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BSM75GB170DN2HOSA1 за ціною від 7749.13 грн до 7749.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies BSM75GB170DN2_Eupec.pdf Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
Power - Max: 625 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7749.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM75GB170DN2HOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS BSM75GB170DN2_Eupec.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB170DN2HOSA1 - BSM75GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB170DN2_Eupec.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
Power - Max: 625 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+7749.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB170DN2_Eupec.pdf
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB170DN2HOSA1 - BSM75GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.