
BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 9885.82 грн |
25+ | 9688.65 грн |
100+ | 9293.10 грн |
500+ | 8579.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 625 W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM75GB170DN2HOSA1 за ціною від 6686.19 грн до 7954.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSM75GB170DN2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 625 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
BSM75GB170DN2HOSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
BSM75GB170DN2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
BSM75GB170DN2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 625 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |