BSM75GB170DN2HOSA1

BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies


75gb170dn2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 110A 625W 7-Pin Tray
на замовлення 637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+9885.82 грн
25+9688.65 грн
100+9293.10 грн
500+8579.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 625 W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V.

Інші пропозиції BSM75GB170DN2HOSA1 за ціною від 6686.19 грн до 7954.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSM75GB170DN2HOSA1 Виробник : Infineon Technologies BSM75GB170DN2_Eupec.pdf Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+6686.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSM75GB170DN2HOSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS BSM75GB170DN2_Eupec.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB170DN2HOSA1 - BSM75GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+7954.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB170DN2HOSA1 Виробник : Infineon Technologies 75gb170dn2.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 110A 625000mW Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM75GB170DN2HOSA1 Виробник : Infineon Technologies BSM75GB170DN2_Eupec.pdf Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.