BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 11459.72 грн |
| 25+ | 11231.16 грн |
| 100+ | 10772.63 грн |
| 500+ | 9945.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 625 W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM75GB170DN2HOSA1 за ціною від 7872.11 грн до 7872.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM75GB170DN2HOSA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MODPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 625 W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| BSM75GB170DN2HOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB170DN2HOSA1 - BSM75GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSM75GB170DN2HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 625 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7872.11 грн |
| BSM75GB170DN2HOSA1 |
|
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB170DN2HOSA1 - BSM75GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM75GB170DN2HOSA1 - BSM75GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)