BSM75GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 103A 520W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 103 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 520 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM75GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 103A 520W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 103 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 520 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM75GD120DN2BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM75GD120DN2BOSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSM75GD120DN2BOSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
LOW POWER ECONO
LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.