Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSN20BKR Nexperia
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.
Інші пропозиції BSN20BKR за ціною від 2.26 грн до 18.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSN20BKR | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSN20BKR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 213800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 93565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSN20BKR | Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 60V .265A |
на замовлення 15840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
BSN20BKR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 48860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
BSN20BKR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
на замовлення 48860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSN20BKR |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6049+ | 2.34 грн |
| BSN20BKR |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.49 грн |
| 6000+ | 3.02 грн |
| 9000+ | 2.84 грн |
| 15000+ | 2.48 грн |
| 21000+ | 2.37 грн |
| 30000+ | 2.26 грн |
| BSN20BKR |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 213800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7833+ | 3.62 грн |
| 10000+ | 3.22 грн |
| 100000+ | 2.70 грн |
| BSN20BKR |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7833+ | 3.62 грн |
| 10000+ | 3.22 грн |
| BSN20BKR |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.95 грн |
| 6000+ | 3.35 грн |
| BSN20BKR |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3580+ | 3.96 грн |
| 6000+ | 3.35 грн |
| BSN20BKR |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1795+ | 5.26 грн |
| 3000+ | 3.58 грн |
| BSN20BKR |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2693+ | 5.26 грн |
| BSN20BKR |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 93565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.64 грн |
| 28+ | 10.77 грн |
| 100+ | 6.69 грн |
| 500+ | 4.61 грн |
| 1000+ | 4.07 грн |
| BSN20BKR |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT23 N-CH 60V .265A
MOSFETs SOT23 N-CH 60V .265A
на замовлення 15840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSN20BKR |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 48860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSN20BKR |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 48860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)