Продукція > NEXPERIA > BSN20BKR
BSN20BKR

BSN20BKR Nexperia

4381473914896773bsn20bk.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6049+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 6049
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSN20BKR Nexperia

Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSN20BKR за ціною від 2.17 грн до 20.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3968+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3968
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : NEXPERIA 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7833+3.12 грн
10000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 7833
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 213800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7833+3.12 грн
10000+2.78 грн
100000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 7833
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3580+3.42 грн
6000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3580
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.65 грн
6000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2693+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 2693
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1795+4.87 грн
3000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 1795
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.51 грн
1500+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F2F4730920747&compId=BSN20BK.pdf?ci_sign=2340b86543c8c0731c8ab14d7d1ef4d079bcab88 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.93 грн
33+12.26 грн
38+10.61 грн
55+7.25 грн
100+6.12 грн
266+3.48 грн
730+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.14 грн
31+10.38 грн
100+6.45 грн
500+4.44 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia BSN20BK.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 60V .265A
на замовлення 15840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.93 грн
31+11.45 грн
100+6.26 грн
500+4.60 грн
1000+3.92 грн
3000+3.02 грн
6000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F2F4730920747&compId=BSN20BK.pdf?ci_sign=2340b86543c8c0731c8ab14d7d1ef4d079bcab88 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.32 грн
20+15.28 грн
23+12.73 грн
50+8.70 грн
100+7.34 грн
266+4.18 грн
730+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+20.82 грн
66+12.87 грн
106+8.02 грн
500+5.51 грн
1500+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.