Продукція > NEXPERIA USA INC. > BSN20BKR
BSN20BKR

BSN20BKR Nexperia USA Inc.

BSN20BK.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.94 грн
9000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSN20BKR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

Інші пропозиції BSN20BKR за ціною від 2.63 грн до 23.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3233+4.40 грн
6000+3.38 грн
9000+3.34 грн
24000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
6000+3.39 грн
9000+3.34 грн
24000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4725+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 4725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR NEXPERIA BSN20BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.00 грн
36+11.55 грн
42+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 37645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.51 грн
28+10.70 грн
50+7.65 грн
100+6.25 грн
500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia BSN20BK.pdf MOSFETs BSN20BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
16+19.79 грн
36+8.49 грн
100+6.51 грн
500+4.75 грн
3000+3.36 грн
9000+2.93 грн
24000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.73 грн
53+14.42 грн
69+11.14 грн
100+8.48 грн
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 42205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 42205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR 4381473914896773bsn20bk.pdf
BSN20BKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3233+4.40 грн
6000+3.38 грн
9000+3.34 грн
24000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR 4381473914896773bsn20bk.pdf
BSN20BKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.41 грн
6000+3.39 грн
9000+3.34 грн
24000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR 4381473914896773bsn20bk.pdf
BSN20BKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4725+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 4725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BK.pdf
BSN20BKR
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.00 грн
36+11.55 грн
42+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BK.pdf
BSN20BKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 37645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.51 грн
28+10.70 грн
50+7.65 грн
100+6.25 грн
500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BK.pdf
BSN20BKR
Виробник: Nexperia
MOSFETs BSN20BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.79 грн
36+8.49 грн
100+6.51 грн
500+4.75 грн
3000+3.36 грн
9000+2.93 грн
24000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR 4381473914896773bsn20bk.pdf
BSN20BKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+23.73 грн
53+14.42 грн
69+11.14 грн
100+8.48 грн
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSN20BKR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 42205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSN20BKR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 42205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR 4381473914896773bsn20bk.pdf
BSN20BKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.