на замовлення 215800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11628+ | 2.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSN20BKR Nexperia
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSN20BKR за ціною від 2.24 грн до 21.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSN20BKR | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSN20BKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSN20BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V |
на замовлення 20659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| BSN20BKR | Виробник : NEXPERIA |
BSN20BKR SMD N channel transistors |
на замовлення 4575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel vertical D-MOS logic level FET |
товару немає в наявності |