Продукція > NEXPERIA > BSN20BKR
BSN20BKR

BSN20BKR Nexperia

4381473914896773bsn20bk.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11628+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 11628
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSN20BKR Nexperia

Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSN20BKR за ціною від 2.20 грн до 21.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 215800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11628+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 11628
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : NEXPERIA 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.01 грн
6000+2.78 грн
9000+2.77 грн
15000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3723+3.27 грн
6000+3.02 грн
9000+3.01 грн
15000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3723
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.76 грн
6000+3.25 грн
9000+3.05 грн
15000+2.67 грн
21000+2.55 грн
30000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1953+3.86 грн
3000+3.34 грн
6000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 1953
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2930+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 2930
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.48 грн
1500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.74 грн
83+9.96 грн
160+5.15 грн
500+4.48 грн
1500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia BSN20BK.pdf MOSFETs BSN20BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 27220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.90 грн
30+11.48 грн
100+4.40 грн
1000+3.82 грн
3000+2.57 грн
9000+2.35 грн
24000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : NEXPERIA BSN20BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.49nC
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.11 грн
33+11.62 грн
40+9.56 грн
63+6.10 грн
100+5.00 грн
265+3.44 грн
728+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 40626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
29+10.86 грн
100+6.74 грн
500+4.64 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : NEXPERIA BSN20BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 402mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.74 грн
20+14.48 грн
24+11.47 грн
50+7.32 грн
100+6.00 грн
265+4.13 грн
728+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Виробник : Nexperia 4381473914896773bsn20bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.