Продукція > NEXPERIA USA INC. > BSN20BKR
BSN20BKR

BSN20BKR Nexperia USA Inc.

BSN20BK.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
31+9.96 грн
100+6.20 грн
500+4.26 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSN20BKR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

Інші пропозиції BSN20BKR за ціною від 10.45 грн до 53.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSN20BKR BSN20BKR NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 43700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.56 грн
500+14.64 грн
1500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR NEXPERIA PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 43700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.81 грн
50+25.36 грн
100+20.56 грн
500+14.64 грн
1500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia BSN20BK.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 60V .265A
на замовлення 15840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSN20BKR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 43700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+20.56 грн
500+14.64 грн
1500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR PHGL-S-A0000183137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSN20BKR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 43700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+53.81 грн
50+25.36 грн
100+20.56 грн
500+14.64 грн
1500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSN20BKR BSN20BK.pdf
BSN20BKR
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT23 N-CH 60V .265A
на замовлення 15840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.