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Технічний опис BSN20Q-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 220mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), 920mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSN20Q-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BSN20Q-7 | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - BSN20Q-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.3 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSN20Q-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSN20Q-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSN20Q-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSN20Q-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BSN20Q-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSN20Q-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSN20Q-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BSN20Q-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 500 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)