BSO033N03MSGXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 50.96 грн |
| 5000+ | 46.62 грн |
| 12500+ | 44.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO033N03MSGXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSO033N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3300 µohm, P-DSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: P-DSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSO033N03MSGXUMA1 за ціною від 37.28 грн до 119.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO033N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSO033N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V |
на замовлення 24288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSO033N03MSGXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO033N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3300 µohm, P-DSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: P-DSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |