Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSO040N03MSGXUMA1

BSO040N03MSGXUMA1

BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
Код товару: 212957
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується 8 шт:
8 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSO040N03MSGXUMA1 за ціною від 31.25 грн до 150.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : INFINEON INFNS27801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.81 грн
500+47.01 грн
1000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+74.92 грн
500+67.43 грн
1000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+74.92 грн
500+67.43 грн
1000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+74.92 грн
500+67.43 грн
1000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : INFINEON INFNS27801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0033 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.97 грн
10+90.58 грн
100+62.81 грн
500+47.01 грн
1000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.13 грн
10+84.42 грн
100+57.09 грн
500+42.60 грн
1000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf MOSFETs N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 18409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.54 грн
10+94.59 грн
100+55.77 грн
500+44.30 грн
1000+40.60 грн
2500+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.