Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSO040N03MSGXUMA1

BSO040N03MSGXUMA1

fundamentals-of-power-semiconductors
Код товару: 212957
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSO040N03MSGXUMA1 за ціною від 50.28 грн до 147.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+86.06 грн
500+77.46 грн
1000+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+86.06 грн
500+77.46 грн
1000+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies bso040n03ms_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+86.06 грн
500+77.46 грн
1000+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.79 грн
10+90.95 грн
100+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 INFINEON INFNS27801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf MOSFETs N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 18409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 INFINEON INFNS27801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 Infineon fundamentals-of-power-semiconductors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 bso040n03ms_rev1.0.pdf
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 bso040n03ms_rev1.0.pdf
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 bso040n03ms_rev1.0.pdf
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
327+86.06 грн
500+77.46 грн
1000+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 bso040n03ms_rev1.0.pdf
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
327+86.06 грн
500+77.46 грн
1000+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 bso040n03ms_rev1.0.pdf
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
327+86.06 грн
500+77.46 грн
1000+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.79 грн
10+90.95 грн
100+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 INFNS27801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 18409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 INFNS27801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.56W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.