BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 31.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSO040N03MSGXUMA1 за ціною від 36.74 грн до 153.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO040N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO040N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSO040N03MSGXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO040N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO040N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO040N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO040N03MSGXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO040N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSO040N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSO040N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 18409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSO040N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
BSO040N03MSGXUMA1 Код товару: 212957
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
BSO040N03MSGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |