Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO080P03SHXUMA1
BSO080P03SHXUMA1

BSO080P03SHXUMA1 Infineon Technologies

BSO080P03S_Rev1.31.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043271faefd0127b3af1f250a4b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO080P03SHXUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSO080P03SHXUMA1 за ціною від 49.35 грн до 144.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 Виробник : INFINEON INFNS19096-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.79W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+84.47 грн
500+ 66.53 грн
1000+ 49.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO080P03S_Rev1.31.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043271faefd0127b3af1f250a4b Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.18 грн
10+ 97.77 грн
100+ 77.83 грн
500+ 61.8 грн
1000+ 52.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 Виробник : INFINEON INFNS19096-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.79W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.49 грн
10+ 108.92 грн
100+ 84.47 грн
500+ 66.53 грн
1000+ 49.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso080p03s_rev1.31_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A Automotive 8-Pin DSO T/R
товар відсутній
BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSO080P03SHXUMA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSO080P03SHXUMA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній