Продукція > INFINEON > BSO110N03MSGXUMA1
BSO110N03MSGXUMA1

BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON

BSO110N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d7412447e2b
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+45.88 грн
500+31.61 грн
1000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSO110N03MSGXUMA1 за ціною від 15.51 грн до 111.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 Infineon Technologies Infineon_BSO110N03MS_DS_v01_01_en-1226460.pdf MOSFETs N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 27175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.62 грн
10+35.10 грн
100+21.00 грн
500+19.03 грн
1000+17.55 грн
2500+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO110N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d7412447e2b Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.12 грн
10+39.78 грн
100+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON BSO110N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d7412447e2b Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.83 грн
50+69.90 грн
100+45.88 грн
500+31.61 грн
1000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1 Infineon_BSO110N03MS_DS_v01_01_en-1226460.pdf
BSO110N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 27175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+46.62 грн
10+35.10 грн
100+21.00 грн
500+19.03 грн
1000+17.55 грн
2500+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d7412447e2b
BSO110N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.12 грн
10+39.78 грн
100+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d7412447e2b
BSO110N03MSGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+111.83 грн
50+69.90 грн
100+45.88 грн
500+31.61 грн
1000+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.