Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO130P03SHXUMA1
BSO130P03SHXUMA1

BSO130P03SHXUMA1 Infineon Technologies

bso130p03sh_rev1.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A Automotive 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO130P03SHXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO130P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0099 ohm, DSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: DSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSO130P03SHXUMA1 за ціною від 36.27 грн до 61.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SHXUMA1 Виробник : INFINEON BSO130P03S+H_Rev1.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043284aacd8012872a532b15410 Description: INFINEON - BSO130P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0099 ohm, DSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: DSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.70 грн
500+41.82 грн
1000+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SHXUMA1 Виробник : INFINEON BSO130P03S+H_Rev1.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043284aacd8012872a532b15410 Description: INFINEON - BSO130P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0099 ohm, DSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: DSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.91 грн
100+51.70 грн
500+41.82 грн
1000+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO130P03S+H_Rev1.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043284aacd8012872a532b15410 Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO130P03S+H_Rev1.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043284aacd8012872a532b15410 Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.