BSO130P03SHXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO130P03SHXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSO130P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0099 ohm, DSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: DSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSO130P03SHXUMA1 за ціною від 31.12 грн до 100.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO130P03SHXUMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - BSO130P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0099 ohm, DSO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: DSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSO130P03SHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V |
на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSO130P03SHXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO130P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0099 ohm, DSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: DSO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSO130P03SHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 25 V |
товар відсутній |