BSO200P03SHXUMA1

BSO200P03SHXUMA1 Infineon Technologies


bso200p03s_rev1.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A Automotive 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO200P03SHXUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSO200P03SHXUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSO200P03SHXUMA1
Код товару: 149476
BSO200P03S_Rev1.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043271faefd0127b42b596d0a5a Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSO200P03SHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO200P03S_Rev1.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a3043271faefd0127b42b596d0a5a Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
товар відсутній