BSO200P03SHXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 22.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO200P03SHXUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSO200P03SHXUMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BSO200P03SHXUMA1 Код товару: 149476 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||
BSO200P03SHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V |
товар відсутній |