Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO201SPHXUMA1
BSO201SPHXUMA1

BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies

BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.58 грн
5000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm.

Інші пропозиції BSO201SPHXUMA1 за ціною від 43.55 грн до 151.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.40 грн
5000+63.91 грн
10000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.40 грн
5000+63.91 грн
10000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.15 грн
116+121.42 грн
140+100.92 грн
250+93.82 грн
500+75.09 грн
1000+57.01 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058 Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 9652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.94 грн
10+88.95 грн
100+60.42 грн
500+45.25 грн
1000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.90 грн
10+126.15 грн
25+121.42 грн
100+97.31 грн
250+86.87 грн
500+72.08 грн
1000+57.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies bso201sp_h_1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+151.66 грн
102+138.52 грн
125+113.09 грн
200+102.03 грн
1000+83.59 грн
2000+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 INFINEON INFNS13865-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 bso201sp_h_1.32.pdf
BSO201SPHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 bso201sp_h_1.32.pdf
BSO201SPHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 bso201sp_h_1.32.pdf
BSO201SPHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.40 грн
5000+63.91 грн
10000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 bso201sp_h_1.32.pdf
BSO201SPHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.40 грн
5000+63.91 грн
10000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 bso201sp_h_1.32.pdf
BSO201SPHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
112+126.15 грн
116+121.42 грн
140+100.92 грн
250+93.82 грн
500+75.09 грн
1000+57.01 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058
BSO201SPHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 9652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.94 грн
10+88.95 грн
100+60.42 грн
500+45.25 грн
1000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 bso201sp_h_1.32.pdf
BSO201SPHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+144.90 грн
10+126.15 грн
25+121.42 грн
100+97.31 грн
250+86.87 грн
500+72.08 грн
1000+57.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 bso201sp_h_1.32.pdf
BSO201SPHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+151.66 грн
102+138.52 грн
125+113.09 грн
200+102.03 грн
1000+83.59 грн
2000+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 INFNS13865-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSO201SPHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.