BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 41.49 грн |
| 5000+ | 37.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSO201SPHXUMA1 за ціною від 43.46 грн до 143.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO201SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSO201SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSO201SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSO201SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSO201SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSO201SPHXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSO201SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSO201SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSO201SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V |
на замовлення 9652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSO201SPHXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BSO201SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P |
товару немає в наявності |