BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 20.77 грн |
| 23+ | 18.95 грн |
| 25+ | 18.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 44µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції BSO207PHXUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO207PHXUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSO207PHXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P
MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)