Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO211PHXUMA1
BSO211PHXUMA1

BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

BSO211PHXUMA1-dte.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.61 грн
19+19.96 грн
25+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції BSO211PHXUMA1 за ціною від 23.31 грн до 29.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSO211PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.33 грн
12+24.87 грн
25+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO211PH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
741+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 741
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSO211P_H-DS-v01_03-en-1225551.pdf MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO211PH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.