Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO220N03MDGXUMA1
BSO220N03MDGXUMA1

BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

bso220n03md_rev1.0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSO220N03MDGXUMA1 за ціною від 17.20 грн до 83.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.33 грн
5000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.53 грн
5000+24.27 грн
10000+24.09 грн
12500+23.00 грн
25000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.20 грн
5000+27.91 грн
10000+27.70 грн
12500+26.44 грн
25000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : INFINEON INFNS16230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.46 грн
500+23.35 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+57.57 грн
215+57.00 грн
270+45.43 грн
272+43.38 грн
500+34.71 грн
1000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1_1-1226026.pdf MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 66075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.43 грн
10+38.96 грн
25+33.73 грн
100+24.60 грн
250+24.45 грн
500+21.20 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : INFINEON INFNS16230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.53 грн
50+40.63 грн
100+29.46 грн
500+23.35 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 6342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+75.79 грн
190+64.45 грн
207+59.15 грн
219+54.03 грн
500+46.78 грн
1000+42.15 грн
2500+29.32 грн
5000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.85 грн
12+61.68 грн
25+61.07 грн
100+46.94 грн
250+43.03 грн
500+35.70 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 13945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.26 грн
10+43.63 грн
100+27.58 грн
500+21.59 грн
1000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.