Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO220N03MDGXUMA1
BSO220N03MDGXUMA1

BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.66 грн
5000+18.36 грн
7500+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSO220N03MDGXUMA1 за ціною від 21.00 грн до 87.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.36 грн
5000+28.07 грн
10000+27.86 грн
12500+26.59 грн
25000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.44 грн
5000+30.13 грн
10000+29.90 грн
12500+28.54 грн
25000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.58 грн
215+65.92 грн
270+52.54 грн
272+50.16 грн
500+40.14 грн
1000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 8052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.09 грн
10+48.41 грн
100+31.81 грн
500+23.16 грн
1000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO220N03MDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 7.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 22mΩ
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.32 грн
8+57.35 грн
10+47.51 грн
25+36.23 грн
50+29.86 грн
100+25.37 грн
250+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.87 грн
12+66.58 грн
25+65.92 грн
100+50.66 грн
250+46.45 грн
500+38.53 грн
1000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies bso220n03md_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 6342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.64 грн
190+74.54 грн
207+68.41 грн
219+62.48 грн
500+54.10 грн
1000+48.74 грн
2500+33.90 грн
5000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 56535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON INFNS16230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON INFNS16230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 bso220n03md_rev1.0.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.36 грн
5000+28.07 грн
10000+27.86 грн
12500+26.59 грн
25000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 bso220n03md_rev1.0.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.44 грн
5000+30.13 грн
10000+29.90 грн
12500+28.54 грн
25000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 bso220n03md_rev1.0.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 bso220n03md_rev1.0.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+66.58 грн
215+65.92 грн
270+52.54 грн
272+50.16 грн
500+40.14 грн
1000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 8052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.09 грн
10+48.41 грн
100+31.81 грн
500+23.16 грн
1000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG-DTE.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 7.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 22mΩ
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.32 грн
8+57.35 грн
10+47.51 грн
25+36.23 грн
50+29.86 грн
100+25.37 грн
250+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 bso220n03md_rev1.0.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.87 грн
12+66.58 грн
25+65.92 грн
100+50.66 грн
250+46.45 грн
500+38.53 грн
1000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 bso220n03md_rev1.0.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 6342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
162+87.64 грн
190+74.54 грн
207+68.41 грн
219+62.48 грн
500+54.10 грн
1000+48.74 грн
2500+33.90 грн
5000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MD_rev1.1.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 56535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 INFNS16230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 INFNS16230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.