BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.44 грн |
| 5000+ | 18.16 грн |
| 7500+ | 17.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSO220N03MDGXUMA1 за ціною від 15.62 грн до 81.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO220N03MDGXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSO220N03MDGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSO220N03MDGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSO220N03MDGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSO220N03MDGXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO220N03MDGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0183ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0183ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSO220N03MDGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSO220N03MDGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Active |
на замовлення 8052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSO220N03MDGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 6342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSO220N03MDGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSO220N03MDGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 62857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSO220N03MDGXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO T/R |
товару немає в наявності |