BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 257+ | 50.25 грн |
| 261+ | 49.48 грн |
| 266+ | 48.70 грн |
| 276+ | 45.14 грн |
| 1000+ | 40.41 грн |
| 2000+ | 37.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.79W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSO301SPHXUMA1 за ціною від 47.32 грн до 196.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.79W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V |
на замовлення 7777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.79W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BSO301SPHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
товару немає в наявності |