BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.79W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm.
Інші пропозиції BSO301SPHXUMA1 за ціною від 40.62 грн до 143.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSO301SPHXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V |
на замовлення 7777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSO301SPHXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6300 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSO301SPHXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6300 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 257+ | 54.70 грн |
| 261+ | 53.85 грн |
| 266+ | 53.01 грн |
| 276+ | 49.13 грн |
| 1000+ | 43.99 грн |
| 2000+ | 40.62 грн |
| BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 225+ | 62.56 грн |
| 229+ | 61.53 грн |
| 232+ | 60.60 грн |
| 249+ | 54.55 грн |
| BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 65.21 грн |
| 25+ | 64.19 грн |
| 100+ | 60.91 грн |
| 250+ | 55.49 грн |
| 500+ | 52.39 грн |
| 1000+ | 51.51 грн |
| BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 216+ | 65.21 грн |
| 219+ | 64.19 грн |
| 223+ | 63.16 грн |
| 250+ | 59.92 грн |
| 500+ | 54.57 грн |
| 1000+ | 51.51 грн |
| BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 309+ | 113.74 грн |
| 500+ | 102.37 грн |
| 1000+ | 94.40 грн |
| BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 309+ | 113.74 грн |
| 500+ | 102.37 грн |
| 1000+ | 94.40 грн |
| BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.94 грн |
| 10+ | 94.28 грн |
| 100+ | 67.07 грн |
| 500+ | 51.62 грн |
| 1000+ | 47.93 грн |
| BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




