BSO301SPHXUMA1

BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies


bso301sp_rev1.32.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A Automotive 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.79W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSO301SPHXUMA1 за ціною від 35.45 грн до 154.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
257+47.73 грн
261+47.00 грн
266+46.26 грн
276+42.87 грн
1000+38.38 грн
2000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+52.84 грн
25+52.01 грн
100+49.35 грн
250+44.96 грн
500+42.45 грн
1000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO301SP_Rev1+32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326c2768b0126d226cd5d68ac Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+54.60 грн
229+53.70 грн
232+52.88 грн
249+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+56.90 грн
219+56.01 грн
223+55.12 грн
250+52.29 грн
500+47.62 грн
1000+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : INFINEON INFNS15108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.79W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.09 грн
500+60.19 грн
1000+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+99.26 грн
500+89.33 грн
1000+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
309+99.26 грн
500+89.33 грн
1000+82.38 грн
Мінімальне замовлення: 309
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : INFINEON INFNS15108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO301SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0063 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.79W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.35 грн
10+93.58 грн
100+74.09 грн
500+60.19 грн
1000+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies BSO301SP_Rev1+32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326c2768b0126d226cd5d68ac Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.81 грн
10+101.40 грн
100+72.14 грн
500+55.52 грн
1000+51.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies bso301sp_rev1.32.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA920504157491CC&compId=BSO301SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=ed7f73f3f0a6fd6bfeee1d5c5065c9159df1b205 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSO301SP_DS_v01_32_en-3360088.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA920504157491CC&compId=BSO301SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=ed7f73f3f0a6fd6bfeee1d5c5065c9159df1b205 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.