BSO303SPH Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: 7.2A, 30V, 0.021OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 866+ | 25.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO303SPH Infineon Technologies
Description: 7.2A, 30V, 0.021OHM, P-CHANNEL,, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSO303SPH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO303SP H | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P |
товару немає в наявності |