Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > BSO330N02KGFUMA1

BSO330N02KGFUMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSO330N02KGFUMA1 - BSO330N02 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1112+	22.62 грн

Мінімальне замовлення: 1112

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSO330N02KGFUMA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8.

Інші пропозиції BSO330N02KGFUMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BSO330N02KGFUMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin DSO T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BSO330N02KGFUMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BSO330N02KGFUMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.