BSO615CGXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Last Time Buy
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 40.00 грн |
| 5000+ | 36.60 грн |
| 12500+ | 35.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO615CGXUMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Part Status: Last Time Buy.
Інші пропозиції BSO615CGXUMA1 за ціною від 27.98 грн до 94.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 5373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSO615CGXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 Part Status: Last Time Buy |
на замовлення 17704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSO615CGXUMA1 | Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSO615CGXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.05 грн |
| 10+ | 67.28 грн |
| 100+ | 45.53 грн |
| 500+ | 38.62 грн |
| 1000+ | 31.44 грн |
| 2500+ | 28.62 грн |
| 5000+ | 27.98 грн |
| BSO615CGXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Last Time Buy
Description: MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, 460pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, 2V @ 450µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 17704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.36 грн |
| 10+ | 81.17 грн |
| 100+ | 63.28 грн |
| 500+ | 49.06 грн |
| 1000+ | 38.73 грн |
| BSO615CGXUMA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)