Технічний опис BSO615N INFINEON
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-DSO-8.
Інші пропозиції BSO615N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSO615N | Виробник : INFINEON |
 09+ SOP8 |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSO615N | Виробник : INFINEON |
SOP-8 |
на замовлення 315 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSO615N | Виробник : SIEMENS |
|
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BSO615N | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 8-Pin DSO |
товару немає в наявності |
|
 |
BSO615N | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-DSO-8 |
товару немає в наявності |
|
 |
BSO615N | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-KANAL POWER MOS |
товару немає в наявності |