BSO615NGHUMA1
Код товару: 148822
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSO615NGHUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO615NGHUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO Supplier Device Package: PG-DSO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BSO615NGHUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BSO615NGHUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSO615NGHUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SO-8
MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.