Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSO615NGXUMA1
BSO615NGXUMA1

BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies

infineon-bso615ng-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin DSO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+118.25 грн
131+107.71 грн
190+74.11 грн
204+66.72 грн
500+55.72 грн
1000+46.87 грн
2500+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSO615NGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SIPMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSO615NGXUMA1 за ціною від 33.40 грн до 121.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSO615NGXUMA1 BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BSO615N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ee69b4aac Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.62 грн
10+73.97 грн
100+49.49 грн
500+36.58 грн
1000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO615NGXUMA1 BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies Infineon_BSO615N_G_DataSheet_v02_00_EN-3360669.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 35836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO615NGXUMA1 BSO615NGXUMA1 INFINEON INFNS10367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO615NGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 19645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO615NGXUMA1 BSO615NGXUMA1 INFINEON INFNS10367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO615NGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 19645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO615NGXUMA1 Infineon-BSO615N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ee69b4aac
BSO615NGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.62 грн
10+73.97 грн
100+49.49 грн
500+36.58 грн
1000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO615NGXUMA1 Infineon_BSO615N_G_DataSheet_v02_00_EN-3360669.pdf
BSO615NGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 35836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSO615NGXUMA1 INFNS10367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSO615NGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO615NGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 19645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO615NGXUMA1 INFNS10367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSO615NGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO615NGXUMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.12 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 19645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.