Продукція > NEXPERIA > BSP122,115
BSP122,115

BSP122,115 Nexperia

bsp122.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
444+24.69 грн
500+20.87 грн
1000+18.92 грн
2000+17.54 грн
3000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP122,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm.

Інші пропозиції BSP122,115 за ціною від 23.77 грн до 45.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA BSP122.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.55A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±2V
On-state resistance: 2.5Ω
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.16 грн
14+30.50 грн
50+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
785+45.16 грн
1000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 785 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 14855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
785+45.16 грн
1000+41.66 грн
10000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 785 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia USA Inc. BSP122.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.55A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±2V
On-state resistance: 2.5Ω
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+41.16 грн
14+30.50 грн
50+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 bsp122.pdf
BSP122,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
785+45.16 грн
1000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 785 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 bsp122.pdf
BSP122,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 14855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
785+45.16 грн
1000+41.66 грн
10000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 785 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP122,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP122,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.