Продукція > NEXPERIA > BSP122,115
BSP122,115

BSP122,115 NEXPERIA

181050189353309bsp122.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP122,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSP122,115 за ціною від 13.88 грн до 75.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP122,115 BSP122,115 Виробник : NEXPERIA 454171.pdf Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.69 грн
3000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSP122.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.88 грн
2000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.52 грн
200+24.76 грн
500+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Виробник : Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
875+34.96 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 875
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Виробник : Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
875+34.96 грн
1000+32.24 грн
10000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 875
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC684A2D9F820&compId=BSP122.pdf?ci_sign=cdb2e789f5a54793a4254a006c7c77a4dd15b975 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±2V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.48 грн
13+31.13 грн
50+24.29 грн
54+17.14 грн
149+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC684A2D9F820&compId=BSP122.pdf?ci_sign=cdb2e789f5a54793a4254a006c7c77a4dd15b975 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±2V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.77 грн
10+38.79 грн
50+29.15 грн
54+20.56 грн
149+19.43 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 2.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.98 грн
22+40.29 грн
50+33.52 грн
200+24.76 грн
500+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Виробник : Nexperia BSP122.pdf MOSFETs SOT223 200V 550A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.15 грн
10+39.75 грн
100+21.81 грн
500+16.98 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSP122.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.10 грн
10+44.96 грн
50+33.00 грн
100+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.