Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP125H6327XTSA1
BSP125H6327XTSA1

BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+21.85 грн
2000+19.18 грн
3000+18.23 грн
5000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm.

Інші пропозиції BSP125H6327XTSA1 за ціною від 18.12 грн до 82.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1317+26.91 грн
10000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 1317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.27 грн
2000+27.59 грн
3000+26.23 грн
5000+23.81 грн
7000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.27 грн
2000+27.59 грн
3000+26.23 грн
5000+23.81 грн
7000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.87 грн
2000+28.14 грн
3000+26.75 грн
5000+24.29 грн
7000+21.67 грн
10000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.02 грн
2000+28.28 грн
3000+26.89 грн
5000+24.42 грн
7000+21.78 грн
10000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.91 грн
11+39.72 грн
50+29.58 грн
100+26.34 грн
200+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.99 грн
100+30.10 грн
500+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.30 грн
14+57.67 грн
100+38.92 грн
500+29.65 грн
1000+23.39 грн
2000+18.68 грн
3000+18.48 грн
5000+18.31 грн
7000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.30 грн
246+57.67 грн
365+38.92 грн
500+29.65 грн
1000+23.39 грн
2000+18.68 грн
3000+18.48 грн
5000+18.31 грн
7000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP125_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1317+26.91 грн
10000+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 1317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.27 грн
2000+27.59 грн
3000+26.23 грн
5000+23.81 грн
7000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.27 грн
2000+27.59 грн
3000+26.23 грн
5000+23.81 грн
7000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+30.87 грн
2000+28.14 грн
3000+26.75 грн
5000+24.29 грн
7000+21.67 грн
10000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+31.02 грн
2000+28.28 грн
3000+26.89 грн
5000+24.42 грн
7000+21.78 грн
10000+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.91 грн
11+39.72 грн
50+29.58 грн
100+26.34 грн
200+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.11 грн
10+45.99 грн
100+30.10 грн
500+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.30 грн
14+57.67 грн
100+38.92 грн
500+29.65 грн
1000+23.39 грн
2000+18.68 грн
3000+18.48 грн
5000+18.31 грн
7000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
173+82.30 грн
246+57.67 грн
365+38.92 грн
500+29.65 грн
1000+23.39 грн
2000+18.68 грн
3000+18.48 грн
5000+18.31 грн
7000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 Infineon_BSP125_DS_v02_02_en.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP125H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP125H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.