Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP125H6327XTSA1
BSP125H6327XTSA1

BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+20.85 грн
2000+18.29 грн
3000+17.37 грн
5000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm.

Інші пропозиції BSP125H6327XTSA1 за ціною від 14.52 грн до 76.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 103000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.33 грн
2000+22.57 грн
3000+22.35 грн
5000+21.24 грн
7000+19.47 грн
10000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 103000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.39 грн
2000+22.64 грн
3000+22.40 грн
5000+21.29 грн
7000+19.52 грн
10000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.06 грн
200+28.18 грн
500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+65.14 грн
333+42.48 грн
500+32.75 грн
1000+28.55 грн
2000+24.09 грн
3000+21.97 грн
5000+20.67 грн
7000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.35 грн
11+41.40 грн
50+30.37 грн
100+26.72 грн
200+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.74 грн
10+44.13 грн
100+28.80 грн
500+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.99 грн
18+47.94 грн
50+45.06 грн
200+28.18 грн
500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP125_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.39 грн
10+46.85 грн
100+26.64 грн
500+20.51 грн
1000+18.47 грн
2000+16.00 грн
5000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 103000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+26.33 грн
2000+22.57 грн
3000+22.35 грн
5000+21.24 грн
7000+19.47 грн
10000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 103000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+26.39 грн
2000+22.64 грн
3000+22.40 грн
5000+21.29 грн
7000+19.52 грн
10000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+45.06 грн
200+28.18 грн
500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
218+65.14 грн
333+42.48 грн
500+32.75 грн
1000+28.55 грн
2000+24.09 грн
3000+21.97 грн
5000+20.67 грн
7000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+70.35 грн
11+41.40 грн
50+30.37 грн
100+26.72 грн
200+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+73.74 грн
10+44.13 грн
100+28.80 грн
500+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+74.99 грн
18+47.94 грн
50+45.06 грн
200+28.18 грн
500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 Infineon_BSP125_DS_v02_02_en.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.39 грн
10+46.85 грн
100+26.64 грн
500+20.51 грн
1000+18.47 грн
2000+16.00 грн
5000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.