Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP125H6327XTSA1
BSP125H6327XTSA1

BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.06 грн
2000+14.96 грн
3000+14.22 грн
5000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP125H6327XTSA1 за ціною від 13.24 грн до 78.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.65 грн
2000+14.32 грн
3000+13.87 грн
5000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.27 грн
2000+15.56 грн
3000+15.06 грн
5000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.55 грн
200+30.56 грн
500+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.62 грн
10+40.01 грн
36+25.76 грн
99+24.34 грн
200+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.89 грн
10+42.22 грн
100+27.48 грн
500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+74.94 грн
249+48.69 грн
500+41.43 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.34 грн
10+49.86 грн
36+30.91 грн
99+29.21 грн
200+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.66 грн
10+45.13 грн
100+26.39 грн
500+20.57 грн
1000+15.73 грн
2000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.72 грн
18+48.09 грн
50+40.55 грн
200+30.56 грн
500+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.