Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP125H6433XTMA1
BSP125H6433XTMA1

BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+21.85 грн
8000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm.

Інші пропозиції BSP125H6433XTMA1 за ціною від 21.43 грн до 89.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.59 грн
33+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.30 грн
15+50.30 грн
100+38.10 грн
500+31.32 грн
1000+26.54 грн
2000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.30 грн
280+50.30 грн
369+38.10 грн
500+31.32 грн
1000+26.54 грн
2000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.29 грн
10+53.74 грн
100+35.38 грн
500+25.82 грн
1000+23.44 грн
2000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon_BSP125_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 10917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 6930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 6930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+23.59 грн
33+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.30 грн
15+50.30 грн
100+38.10 грн
500+31.32 грн
1000+26.54 грн
2000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
198+71.30 грн
280+50.30 грн
369+38.10 грн
500+31.32 грн
1000+26.54 грн
2000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.29 грн
10+53.74 грн
100+35.38 грн
500+25.82 грн
1000+23.44 грн
2000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 Infineon_BSP125_DS_v02_02_en.pdf
BSP125H6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 10917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP125H6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 6930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP125H6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 6930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.