BSP125H6433XTMA1

BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP125H6433XTMA1 за ціною від 14.29 грн до 81.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.46 грн
250+28.55 грн
1000+22.96 грн
2000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP125_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 15212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.04 грн
100+22.94 грн
500+20.64 грн
1000+19.52 грн
2000+18.62 грн
4000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.69 грн
50+32.46 грн
250+28.55 грн
1000+22.96 грн
2000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+36.77 грн
24+31.54 грн
38+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+72.52 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.58 грн
10+49.17 грн
100+32.25 грн
500+23.42 грн
1000+21.22 грн
2000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 120mA; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Gate charge: 6.6nC
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: N
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.