BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 15.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSP125H6433XTMA1 за ціною від 15.81 грн до 78.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP125H6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP125H6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP125H6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP125H6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP125H6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP125H6433XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP125H6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 |
на замовлення 15440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP125H6433XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP125H6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP125H6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |