Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP125H6433XTMA1
BSP125H6433XTMA1

BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies

bsp125_rev.2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSP125H6433XTMA1 за ціною від 14.50 грн до 43.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+18.42 грн
34+18.17 грн
100+17.29 грн
250+15.78 грн
500+14.93 грн
1000+14.72 грн
3000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
622+19.57 грн
631+19.30 грн
640+19.03 грн
649+18.09 грн
1000+16.51 грн
3000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 622
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
558+21.83 грн
564+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 558
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
412+29.54 грн
430+28.36 грн
500+27.34 грн
1000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 412
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.56 грн
250+27.15 грн
1000+21.96 грн
2000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.74 грн
11+29.69 грн
100+24.04 грн
500+22.18 грн
1000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.30 грн
50+33.56 грн
250+27.15 грн
1000+21.96 грн
2000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP125_DS_v02_02_en-1226291.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 18067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.65 грн
10+34.92 грн
100+24.57 грн
500+24.50 грн
1000+22.20 грн
2000+20.41 грн
4000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.