Продукція > INFINEON > BSP125-L6327

BSP125-L6327 Infineon

Виробник: Infineon
N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP125-L6327 Infineon

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSP125-L6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP125L6327 Виробник : Infineon technologies INFNS13343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125 L6327 BSP125 L6327 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.1.12.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327 BSP125L6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS13343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125 L6327 BSP125 L6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en-520827.pdf GaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.