Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP125L6327HTSA1
BSP125L6327HTSA1

BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies

dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 343141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
568+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP125L6327HTSA1 за ціною від 30.81 грн до 46.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP125L6327HTSA1 BSP125L6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.1.12.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 343141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
657+46.38 грн
1000+42.77 грн
10000+38.14 грн
100000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 657
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327HTSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP125L6327HTSA1 - BSP125 250V-600V SMALL SIGNALOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
667+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 667
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327HTSA1 BSP125L6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp125_rev.1.12.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327HTSA1 BSP125L6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.