Продукція > NEXPERIA > BSP126,115
BSP126,115

BSP126,115 NEXPERIA

2927bsp126.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP126,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSP126,115 за ціною від 18.14 грн до 91.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP126,115 BSP126,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSP126.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+22.37 грн
2000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126,115 Виробник : NEXPERIA 454172.pdf Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.04 грн
200+25.84 грн
500+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126,115 Виробник : Nexperia bsp126.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
693+44.79 грн
1000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.29 грн
18+48.26 грн
50+38.04 грн
200+25.84 грн
500+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F3F80367B0747&compId=BSP126.pdf?ci_sign=206f17f27b282115a3a60288721a6776daf6e834 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.43 грн
10+58.29 грн
25+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BSP126.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 58194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.49 грн
10+47.60 грн
50+35.04 грн
100+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949F3F80367B0747&compId=BSP126.pdf?ci_sign=206f17f27b282115a3a60288721a6776daf6e834 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.71 грн
10+72.64 грн
25+59.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126,115 Виробник : Nexperia BSP126.pdf MOSFETs BSP126/SOT223/SC-73
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.99 грн
10+56.87 грн
50+36.44 грн
100+32.23 грн
1000+21.82 грн
2000+19.60 грн
5000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.