BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 16.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSP129H6327XTSA1 за ціною від 15.68 грн до 70.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 50mA Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depleted |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
BSP129H6327XTSA1 Код товару: 139226 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 |
на замовлення 12303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 50mA Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 775 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSP129H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |