
BSP129H6906XTSA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 34420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 32.59 грн |
25+ | 32.12 грн |
50+ | 30.52 грн |
100+ | 27.83 грн |
250+ | 26.31 грн |
500+ | 25.91 грн |
1000+ | 25.50 грн |
3000+ | 25.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP129H6906XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSP129H6906XTSA1 за ціною від 26.59 грн до 65.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 34420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Case: SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Case: SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |