Інші пропозиції BSP129L6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSP129L6327 | Виробник : INFINEON |
 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BSP129 L6327 | Виробник : Infineon |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
BSP129L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
 |
BSP129 L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
GaN FETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 |
товару немає в наявності |