Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP129L6327HTSA1
BSP129L6327HTSA1

BSP129L6327HTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 237893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
656+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP129L6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP129L6327HTSA1 за ціною від 26.71 грн до 40.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP129L6327HTSA1 BSP129L6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp129_rev1.42.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 237893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
758+40.20 грн
1000+37.07 грн
10000+33.05 грн
100000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 758
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327HTSA1 BSP129L6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp129_rev1.42.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327HTSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129L6327HTSA1 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129L6327HTSA1 BSP129L6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.