Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > BSP135H6327XTSA1
BSP135H6327XTSA1

BSP135H6327XTSA1

Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b
Код товару: 119867
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSP135H6327XTSA1 за ціною від 30.94 грн до 146.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.07 грн
2000+39.97 грн
3000+38.22 грн
5000+34.02 грн
7000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 15482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.00 грн
200+46.04 грн
500+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Infineon info-tbsp135.pdf N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP135 TBSP135
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.55 грн
10+68.89 грн
50+53.87 грн
100+48.61 грн
200+43.95 грн
500+38.52 грн
1000+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.88 грн
186+76.34 грн
500+60.23 грн
1000+53.08 грн
2000+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 15482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.59 грн
12+74.34 грн
50+62.00 грн
200+46.04 грн
500+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP135_DS_v01_33_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 20284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.61 грн
10+87.54 грн
100+49.97 грн
500+39.61 грн
1000+35.24 грн
2000+32.21 грн
5000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.69 грн
10+89.79 грн
100+60.18 грн
500+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b
BSP135H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+45.07 грн
2000+39.97 грн
3000+38.22 грн
5000+34.02 грн
7000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 15482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+62.00 грн
200+46.04 грн
500+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 info-tbsp135.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: Infineon
N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP135 TBSP135
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+71.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+110.55 грн
10+68.89 грн
50+53.87 грн
100+48.61 грн
200+43.95 грн
500+38.52 грн
1000+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 bsp135_rev1.33-2.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
125+113.88 грн
186+76.34 грн
500+60.23 грн
1000+53.08 грн
2000+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 15482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+117.59 грн
12+74.34 грн
50+62.00 грн
200+46.04 грн
500+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 Infineon_BSP135_DS_v01_33_en.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 20284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.61 грн
10+87.54 грн
100+49.97 грн
500+39.61 грн
1000+35.24 грн
2000+32.21 грн
5000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b
BSP135H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.69 грн
10+89.79 грн
100+60.18 грн
500+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.