Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP135H6327XTSA1
BSP135H6327XTSA1

BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp135_rev1.33-2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP135H6327XTSA1 за ціною від 26.23 грн до 122.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+31.45 грн
2000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 197000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.51 грн
2000+32.84 грн
5000+32.51 грн
25000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+37.50 грн
2000+35.68 грн
5000+35.33 грн
25000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.74 грн
200+53.17 грн
500+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.13 грн
10+55.77 грн
28+33.79 грн
76+31.98 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.52 грн
10+59.55 грн
100+46.43 грн
500+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.75 грн
10+69.49 грн
28+40.55 грн
76+38.37 грн
1000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+100.13 грн
170+71.47 грн
200+65.09 грн
500+52.72 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.33 грн
12+73.37 грн
50+70.74 грн
200+53.17 грн
500+40.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 41802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.62 грн
10+76.26 грн
100+47.86 грн
500+37.81 грн
1000+29.34 грн
2000+27.90 грн
5000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP135 TBSP135
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+63.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Код товару: 119867
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.