Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP135H6327XTSA1
BSP135H6327XTSA1

BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+38.34 грн
2000+34.00 грн
3000+32.51 грн
5000+28.94 грн
7000+28.01 грн
10000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP135H6327XTSA1 за ціною від 27.19 грн до 128.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+41.24 грн
2000+39.98 грн
3000+39.59 грн
5000+36.79 грн
7000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.92 грн
200+50.68 грн
500+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.79 грн
10+70.25 грн
50+53.96 грн
100+48.17 грн
200+42.89 грн
500+36.76 грн
1000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.72 грн
10+76.36 грн
100+51.20 грн
500+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.08 грн
11+81.18 грн
50+67.92 грн
200+50.68 грн
500+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP135_DS_v01_33_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
на замовлення 22194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.52 грн
10+78.58 грн
100+48.60 грн
500+38.35 грн
1000+30.82 грн
2000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 Виробник : Infineon Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP135 TBSP135
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Код товару: 119867
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.