BSP135H6906XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 44.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP135H6906XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSP135H6906XTSA1 за ціною від 44.66 грн до 170.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP135H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSP135H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSP135H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3 |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BSP135H6906XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 120mA; 1.8W; PG-SOT223; SMT Mounting: SMD Drain current: 0.12A Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 30Ω Drain-source voltage: 600V Application: automotive industry Case: PG-SOT223 Electrical mounting: SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Gate charge: 4.9nC |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
BSP135H6906XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |