Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP135H6906XTSA1
BSP135H6906XTSA1

BSP135H6906XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+61.08 грн
3000+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP135H6906XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSP135H6906XTSA1 за ціною від 59.89 грн до 186.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.79 грн
2000+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 Infineon Technologies bsp135_rev1.33-2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.80 грн
2000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.39 грн
10+115.77 грн
50+88.25 грн
100+74.50 грн
500+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 Infineon Technologies infineon_bsp135_ds_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1 bsp135_rev1.33-2.pdf
BSP135H6906XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+73.79 грн
2000+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1 bsp135_rev1.33-2.pdf
BSP135H6906XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+73.80 грн
2000+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1 Infineon-BSP135-DS-v01_33-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fd4c839399b
BSP135H6906XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.39 грн
10+115.77 грн
50+88.25 грн
100+74.50 грн
500+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6906XTSA1 infineon_bsp135_ds_en.pdf
BSP135H6906XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.