Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP135IXTSA1
BSP135IXTSA1

BSP135IXTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP135IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 1.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm.

Інші пропозиції BSP135IXTSA1 за ціною від 15.11 грн до 72.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 Infineon Technologies infineonbsp135idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.53 грн
2000+16.56 грн
3000+16.39 грн
5000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 Infineon Technologies infineonbsp135idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.53 грн
2000+16.56 грн
3000+16.39 грн
5000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.23 грн
10+32.91 грн
50+24.02 грн
100+19.86 грн
500+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 Infineon Technologies infineonbsp135idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.93 грн
17+46.26 грн
25+45.80 грн
50+33.31 грн
100+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 Infineon Technologies infineonbsp135idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+72.93 грн
306+46.26 грн
309+45.80 грн
409+33.31 грн
426+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP135I_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 INFINEON 3208403.pdf Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 INFINEON 3208403.pdf Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 infineonbsp135idatasheetv0201en.pdf
BSP135IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+19.53 грн
2000+16.56 грн
3000+16.39 грн
5000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 infineonbsp135idatasheetv0201en.pdf
BSP135IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+19.53 грн
2000+16.56 грн
3000+16.39 грн
5000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e
BSP135IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 25 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.23 грн
10+32.91 грн
50+24.02 грн
100+19.86 грн
500+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 infineonbsp135idatasheetv0201en.pdf
BSP135IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.93 грн
17+46.26 грн
25+45.80 грн
50+33.31 грн
100+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 infineonbsp135idatasheetv0201en.pdf
BSP135IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
194+72.93 грн
306+46.26 грн
309+45.80 грн
409+33.31 грн
426+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 Infineon_BSP135I_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSP135IXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 3208403.pdf
BSP135IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 3208403.pdf
BSP135IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP135IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.